iPhone 9 または iPhone 910 に1TB のメモリを搭載したいと思いませんか？ 常温で一般的な装置を使って製造できるとされる抵抗性RAM (RRAM) のおかげで、それが可能になるかもしれません。
ライス大学の科学者たちは、高密度次世代コンピュータメモリに向けた画期的なシリコン酸化物技術が量産に一歩近づいたと発表しました。ライス大学のシリコン酸化物メモリは、2端子RRAM技術の一種です。
RRAMは世界中で開発が進められており、数年以内に市場でフラッシュメモリ技術に取って代わると予想されています。これは、フラッシュメモリよりも高速で、より少ないスペースにはるかに多くの情報を詰め込むことができるためです。ライス大学の機械工学、ナノ工学、およびコンピュータサイエンスの教授であるジェームズ・ツアー氏はこう述べています。例えば、メーカー各社は、切手サイズのデバイスに約1テラバイト（1TB）のデータを格納できるRRAMプロトタイプチップの計画を発表しています。これは、現在のフラッシュメモリ技術のデータ密度の50倍以上です。
もし将来のiPhoneが現在のミドルレンジiMacと同じくらいのメモリを搭載できたら、MacBookやMacBook Airがどれだけのストレージ容量を扱えるか想像してみてください。そして、RRAMを最大限まで搭載したiMacを想像してみてください。これまでに作られたすべての曲と、公開されたすべての映画を保存できるでしょう。
まあ、ちょっと大げさですが、意味は伝わると思います。
